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錫對鉛錫合金陽膜生成的影響分析

來源:www.591hxt.com 發表時間:2020-11-19

研究不同錫含量的鉛錫合金電在硫酸溶液中陽膜的生成情況.高電位循環伏安和恒電位1h后的線性電位掃描測試表明:PbO2陽膜的還原峰電流和還原電量均隨著錫含量的增加而減小,第10次循環伏安掃描時,由含錫0%時的電流及電量10.62 mA和0.71mC降至含錫1.73%時的7.82 mA和0.52 mC;在恒電位1.5V的線性電位掃描中,電流及電量由含0%錫時的0.95 mA和1.43×10-2 mC下降至含1.73%錫時的0.61 mA和9.79×10-2 mC.在恒電位0.9V的線性電位掃描中,PbO+ PbO·PbSO4陽膜的還原峰電流隨著錫含量的增加而減小,由含0%錫時的0.62 mA減小至含1.73%錫時的0.13 mA;但含0.61%錫時的還原峰電量大,可能與錫氧化物還原有關.隨著錫含量增加,鉛(Ⅱ)陽膜的電導增強.SEM結果表明,添加錫可使電上PbO2膜的裂縫增加,并細化鉛(Ⅱ)陽膜.


上一個 : 鍍鉻陽板的保護方法    下一個 : 硬鉻鍍層的結合力的要求

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